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新型电信基础设施使用 4G/5G 小型基站和同步以太网络来增加网络数据容量;这些系统中使用大功率元件,会有很高和不断变化的热负载。当温度快速变化时,高精度时钟元件的动态性能就会成为这类型设备的关键要求。MEMS技术在动态环境下原本表现就比较好,已成为石英技术完美替代方案。
型号 | 频率范围 | 电压范围 | 精度 | 温度范围 | 尺寸 | 封装 | |
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SiT5021 | 1-220 MHz | 2.5, 3.3, 2.25-3.63V | ±5ppm | -20 to +70, -40 to +85℃ | 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0mm | SMD | ![]() |
SiT5022 | 220-625 MHz | 2.5, 3.3, 2.25-3.63V | ±5ppm | -20 to +70, -40 to +85℃ | 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0mm | SMD | ![]() |
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