TMR线性磁阻传感器采用隧道磁电阻(TMR)技术,超高灵敏度,超低功耗,低磁滞及大动态范围,高速磁场检测和高频率响应,优良的ESD防护性能。
型号 | 产品描述 | 温度范围 | 尺寸 | 封装 | |
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TMR2102 | 灵敏度4.9(mV/V/Oe),敏感方向X轴,饱和场±90(Oe),磁滞0.1(Oe) | -40ºC—125ºC | SOP8,DFN8 | ![]() |
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TMR2505 | 灵敏度2.2(mV/V/Oe),敏感方向Z轴,饱和场±100(Oe),磁滞1(Oe) | -40ºC—125ºC | 标准尺寸 | TO94,SSIP4 | ![]() |
TMR2005 | 灵敏度3(mV/V/Oe),敏感方向X轴,饱和场±60(Oe),磁滞0.5(Oe) | -40ºC—125ºC | 标准尺寸 | SOT23-5 | ![]() |
TMR2003 | 灵敏度6(mV/V/Oe),敏感方向X轴,饱和场±35(Oe),磁滞0.4(Oe) | -40ºC—125ºC | 标准尺寸 | SOT23-5 | ![]() |
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